Novi DDR3 DIMM-ovi kompanija Samsung i Elpida izrađeni u 50nm tehnološkom procesu ovog meseca ulaze u masovnu proizvodnju. Nove čipove će karakterisati viša gustina i brzine kao i manja latencija, potrošnja energije i troškovi. Elpida-in novi 50nm tehnološki proces koristi 193nm tehnologiju litografije uranjanjem u argon fluorid kombinovan sa tehnologijom međupovezivanja bakrom čime se obezbeđuje poboljšanje brzine od 25% u odnosu na standardne aluminijumske međuveze. Standardna veličina čipa od manje od 40mm² znači da će više matrica biti proizvedeno po jednom wafer-u , čime će troškovi naravno biti smanjeni. Novi čipovi obezbeđuju propusni opseg od 2.5Gb/s pri 1.5v.
